2016年3月28日，世界级的国家存储器基地项目在湖北武汉东湖高新区正式启动，计划5年内投资1600亿元人民币（约240亿美元），到2020年形成月产能30万片芯片的生产规模，到2030年建成每月100万片芯片的产能。作为国家发展集成电路产业的重大战略部署、湖北省改革开放以来单体投资最大的高新产业项目，将为我国提供打破主流存储器领域空白、实现产业和经济跨越发展的坚实支撑。

为保证该项目顺利实施，国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资作为股东，在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上组建一家存储器公司，作为国家存储器基地项目实施主体公司。

工信部副部长怀进鹏在致辞时表示，“国家存储器基地项目的启动，是我国信息技术产业在“十三五”开局之年抓机遇、补短板、推动重大生产力布局的战略机遇，在我国集成电路产业发展史中具有

历经10年发展，武汉新芯现已成为我国唯一以存储器为主的集成电路制造企业。据悉，项目分期 建造晶圆 厂，生产3D NAND Flash。与平面（2D）相比，3D NAND技术更具有优势，能利用立体空间提高存储密度，并且在提高性能的同时降低成本。

中国集成电路产业压力与契机并存

武汉新芯集成电路制造有限公司执行副总裁/商务长陈少民先生接受记者采访时表示，目前“中国光谷”已具备实施存储器基地项目的五大基础：

一、产业基础。中国半导体在过去10年中同比成长18%，全世界的半导体成长则是跟着全球经济的经济发生变化，中国半导体产业发展惊人。本次基地项目预计2020年达到20万片3D-NAND Flash晶圆及10万片DRAM晶圆；12寸晶圆按照每片700颗芯片计算，年产能估算为25亿颗芯片。据悉2018年二期、三期也将陆续启动，总投资将近1600亿人民币。

二、技术基础。武汉新芯多年来主要从事NOR Flash闪存的芯片代工，在研发和生产过程中积累了丰富的实战经验，并且已与国内外知名厂商和研发机构开展合作。同时，东湖高新区已组建具备国际水平的集成电路工业技术研究院、集成电路IP交易中心、集成电路共享服务平台，搭建产学研链条，为快速投入量产奠定了强大技术基础。拥有自主知识产权，同时又打造了完整的产业链，自主技术可控、时间窗口适宜，是发展的绝佳时机。

三、资本基础。省、市、区共同设立了500亿元湖北集成电路产业专属投资基金，用于建设存储器生产研发以及产业链上下游项目。

四、人才基础。首先，武汉新芯在杨士宁博士的带领下，拥有一支实战经验丰富的研发和制造队伍，为实施存储器战略提供有力保障。武汉新芯举全球英才，更进一步引进国际化的技术团队。与此同时，武汉科教实力雄厚，人才资源丰富，是中国三大智力密集区之一。东湖高新区半导体发展人才资源丰富，半导体行业工程技术和研究人员超过2万人。其次，省、市和东湖高新区将制定切实可行的集成电路产业各层次专业人才引进方案和专项政策。近期重点为满足存储器基地项目需求，引进存储器产业各个环节高层次人才。此外，还将依托区内高校和相关企业建设集成电路产业实训基地，为存储器基地项目定向培养一线研发制造专业人才。

五、市场基础。存储器是电子信息化产业的重要元器件之一，随着汽车电子、医疗电子、消费电子（含智能终端）产业的迅速发展，尤其是日趋电子化的汽车领域，使得对存储器的需求量迅速增加。目前，中国国内外多家知名智能终端龙头企业和汽车生产商，对存储器芯片的需求量极大，能快速形成产业链互补推动效应。武汉新芯已经和国内外多家产业链下游企业签订了合作协议和开展合作洽谈，产品有了庞大市场需求的基础。

战略高地—打破存储器进口依赖

集成电路产业是信息技术产业的核心，被称为“工业粮食”和“生死攸关的工业”，是未来产业竞争、科技竞争、综合实力竞争的制高点。若说集成电路产业是现代工业的粮食，那么存储器在现阶段就是粮食中的主粮。然而，这关乎国家信息安全的“粮食”，我国一直依赖进口。清华大学微电子学研究所所长魏少军教授接受记者采访时直言，“从某种意义上说，如果没有芯片，整个信息产业就建在沙滩上。”

2014年全球存储器市场规模约750亿美元，约占全球集成电路市场份额的25%，同比增长约10%。我国是全球最大的电子信息产业基地，电子整机所用存储器市场需求约2465.5亿元，占我国集成电路市场规模的23.7%。2014年，我国集成电路进口额2176.2亿美元，是我国进口额最大的产品，其中存储器进口额占24.9%。近几年中国集成电路产业持续保持高速增长，近十年平均增长率18%，而全球平均增长率仅有3.5-6%。

弯道超车—本土“智造”把握历史新机遇

“全球集成电路产业面临新的转折点，这为我国集成电路弯道超车提供了机遇。” 中国科学院微电子研究所所长叶甜春表示，这承载了国家自主创新的使命，随着物联网、大数据产业的发展，存储芯片的需求还将激增，中国必须有企业站出来填补空白，抢占市场。

武汉新芯集成电路制造有限公司执行副总裁/商务长陈少民先生接受记者采访时表示，“NAND Flash可广泛应用于智能终端、云计算、IOT等领域，每年市场增长超过10%。目前3D-NAND Flash市场份额占存储器总市场的11-13%，到2020年中国市场占据其中的40-50%；2D-NAND Flash目前已经到达了物理极限，可以说该项目是我国集成电路产业弯道超车的绝佳时机，未来即使满产也还远远满足不了国内市场需求，市场潜力巨大。”

据悉，自2015年武汉新芯与美国Spansion公司宣布合作开发与生产3D NAND闪存技术，同时签署共同开发和交叉授权协议。双方在3D NAND项目研发取得了突破性进展。陈少民先生回应称，“武汉新芯与竞争对手的差距只有一代半，我们有信心在三代产品后赶上国际厂商”。 

打造存储器产业生态链——国家大力发展存储器芯片的意义

存储器发展于上世纪60年代的美国，80年代日本企业抓住商业计算机发展机遇，实现存储器发展，进而走向集成电路强国；90年代韩国企业抓住个人计算机、消费电子发展机遇，集中资源、持续支持，奠定了现在存储器强国的地位。国家存储器基地项目的启动，不仅仅是再投资建设一个12英寸晶圆代工厂，更重要的是打造完整的存储器产业生态链，包括EDA软件、芯片设计、晶圆制造、封装测试、应用方案及相关设备材料等环节，真正意义上的实现本土“智造”。

深圳市硅格半导体股份有限公司是一家专注于固态存储控制领域，是全球重要的闪存（NAND Flash）控制芯片供应商，产品包括SSD、eMMC 、SD、USB闪存盘等控制芯片。固态硬盘（SSD）以及手机是NAND Flash最主要的两块应用，2014年这两者的消耗量超过了66%，预计2018年这个数据将会达到78%。深圳市硅格半导体有限公司总经理吴大畏先生接受记者采访时表示，“通过与武汉新芯的合作，国产存储控制芯片公司将获得前所未有的赶超国际同行的发展机会，硅格半导体的闪存控制芯片将率先支持武汉新芯的3D NAND Flash存储器，为全球市场更有竞争力的存储解决方案。”

此外，深圳市江波龙电子有限公司总经理李志雄先生表示，“武汉新芯3D NAND Flash项目对FLASH的国产化具有重要意义，其产品能够广泛应用于江波龙现有的4条存储产品线。江波龙专注于FLASH存储产品的研发和销售，深刻掌握FLASH控制核心技术和算法，江波龙的产品包括USB Disk、Micro SD、eMMC和SSD。”

东电电子上海 战略市场总监 钱立群先生接受记者采访时表示，“无论从国家战略还是市场需求来看，对中国来说存储器都是很必要的产品。这次武汉项目启动仪式上，各界领导和业界巨头纷纷前来捧场，可见对这个项目寄予了极高的厚望。国内对存储器项目的重视固然值得欣喜，但我们也应看到，存储器相对于logic、Foundry，国际化垄断更高、投资更大、壁垒更高，因此存储器项目今后要走的是一条充满挑战之路。因此绝对不能闭门造车，也要尽量少走弯路少试错，必须要利用上下游供应链和全球产业链的资源，聚合众人之力才有望推动其发展。东电电子(TEL)作为一家国际领先的半导体设备供应商，目前正在与武汉存储器项目接洽合作事宜，希望能为国内的存储器产业的建设和发展贡献力量。”

中国“智造”——前所未有的发展机会

虽然近些年，国内集成电路产业发展突飞猛进，自给率逐年提高。但不可忽视的现状是，这些国产芯片的成功应用大多在消费类领域。在对稳定性和可靠性要求很高的通信、工业、医疗以及军事的大批量应用中，国产芯片距离国际一般水平差距较大。尤其是一些技术含量很高的关键器件：CPU、存储器、大规模FPGA、高速高精度ADC/DAC等领域，还完全依赖美国供应商。前不久的中兴事件给中国通信行业再次敲响了警钟：缺乏核心技术，中国或将进一步加快开发自主高端芯片的步伐。

就在存储器基地项目启动的同一天，还有另一家海外派晶圆厂开工——TSMC台积电在南京投资的12寸晶圆厂恰好也是在28日动工。此工程是TSMC首次进军大陆，投资额高达30亿美元，而且直接会使用先进的16nm工艺。台积电董事长张忠谋表示，“近年来大陆半导体市场成长快速，台积电在南京设立十二寸厂与设计服务中心，就是为了就近协助客户并进一步增加商机，期待未来能与客户更紧密结合，让台积电在大陆的市占率持续成长。”

综上所述，中国集成电路产业面临巨大的竞争压力和发展契机，中国“智造”必将完成华丽转型，群雄并起的时代已经来临，让我们拭目以待！